Apr 25, 2023 Jäta sõnum

Erinevus vaakumkatte ja optilise katte vahel

Argooni (Ar) ioonide löömiseks sihtmärgi pinnale vaakumkatmise ajal kasutatakse peamiselt hõõglahendust.

Sihtmaterjali aatomid väljutatakse ja kogunevad aluspinna pinnale, moodustades õhukese kihi. Pihustatud kile omadused ja homogeensus on paremad kui aurustatud kile, kuid selle katmiskiirus on oluliselt aeglasem. Enamik kaasaegseid pihustusseadmeid kasutavad tugevat magnetid, et kiirendada argooni ioniseerumist sihtmärgi ümber elektronide spiraaliga.

suurendab sihtmärgi ja argooniioonide vahelise kokkupõrke tõenäosust,

Suurendage pommitamiskiirust. Üldjuhul kasutatakse alalisvoolu pommitamist peamiselt metallkatete puhul, RF AC pommitamist aga mittejuhtivate keraamiliste materjalide puhul. Põhiidee on kasutada hõõglahendust vaakumis.

tühjenemine) Plasma katioonid kiirenevad negatiivse elektroodi pinnale, kui pihustatud materjal argooni (Ar) ioonide tabamisel sihtpinnale. Selle löögi tagajärjel lendab sihtmaterjal välja ja sadestub aluspinnale Kile. Üldiselt hõlmab pihustustehnika rakendamine kilega katmiseks järgmisi funktsioone:

(1) Kilematerjali saab luua metallist, sulamist või isolaatorist.

(2) Õigete tingimuste olemasolul saab kasutada sama koostisega õhukese kile loomiseks mitut ja keerulist sihtmärki.

(3) Sihtmaterjali ja gaasimolekule saab segada või liita, lisades väljalaskeatmosfääri hapnikku või muid aktiivseid gaase.

(4) Kõrge täpsusega kile paksust saab hõlpsasti saavutada sihtsisendvoolu ja pihustusaja juhtimisega.

(5) Võrreldes muude meetoditega sobib see paremini suure pindalaga homogeensete filmide loomiseks.

(6) Sihtmärgi ja substraadi asukohti saab suvaliselt konfigureerida ning raskusjõud ei mõjuta pritsivaid osakesi.

(7) Kuna pihustatud osakesed kannavad suurt energiat, hajuvad nad jätkuvalt kilet moodustaval pinnal, moodustades tugeva ja tiheda kile. Aluspinna ja kile nakketugevus on enam kui 10 korda suurem kui tavalisel aur-sadestamise kilel. Samal ajal vajab substraat vähe energiat, kuna kõrge Madalamatel temperatuuridel võib tekkida kristalliseerunud kile.

(8) Kõrge tuumade tihedus kile moodustumise varases staadiumis võib põhjustada üliõhukesi pidevaid kilesid paksusega alla 10 nm. (9) Sihtmaterjali võib toota automaatselt ja pidevalt pikka aega ning sellel on pikk eluiga.

(10) Sihtmaterjal võib võtta erineva kuju tänu masina ainulaadsele disainile, mis võimaldab suuremat juhtimist ja

 

 

Küsi pakkumist

Kodu

Telefoni

E-posti

Küsitlus