Metallist sihtmärk Pihustamise põhialused
Sihtmärk on lihtsalt elektronide või suure energiaga laserpommitamine katete pihustamiseks. Lõpuks sadestatakse pinnakomponendid substraadi pinnale pärast aatomirühmade või ioonidena pihustamist, kile moodustamise protsessi läbimist ja õhukese kile teket.
Pritsimiskatteid on laias valikus. Tavaliselt on need aurustuskatted. Pommitamiskiirus on üks peamisi parameetreid, mis on erinevus. Pommitamiskattes oleva laserpihustuskattega pld on lihtne koostist ühtlasena hoida, kuid paksuse ühtlus aatomi skaalal on suhteliselt halb (kuna see on impulssputrutamine) ja kristallide orientatsiooni (välisserva) kasvu kontroll on suhteliselt üldine.
Põhimiku ja sihtmaterjali vahelise võre sobivuse aste, kattekeskkond (madalrõhuga gaasiatmosfäär), substraadi temperatuur, laseri võimsus, impulsi sagedus ja pihustusaeg on näiteks pld-s olulised parameetrid. . Ideaalsed parameetrid on vajalikud erinevate aluspindade ja pihustusmaterjalide jaoks. Need on katsete kohaselt erinevad. Katteseadmete võime temperatuuri täpselt hallata, tagada hea vaakum ja säilitada vaakumkambri puhtus on kolm võtmetegurit, mis määravad selle kvaliteedi.
