Sihtmaterjalil on lai turg, mitmesugused kasulikud kasutusalad ja paljutõotav tulevik. Vaatame teie jaoks kiiresti üle sihtmaterjali esmased jõudlusnõuded, et saaksite materjali toimivust paremini mõista. Loodan siiralt, et see on teile kasulik.
Puhtus: kuna sihtmärgi puhtus mõjutab oluliselt kile jõudlust, on puhtus üks peamisi sihtmärgi jõudlusnäitajaid. Sihtmaterjali puhtusekriteeriumid erinevad siiski praktilistes rakendustes. Näiteks räni suurus vahvlite laius on mikroelektroonikatööstuse kiire laienemise tõttu kasvanud 6′′, 8′′-lt 12′′-le ning juhtmestiku laius on muutunud 0,5 um-lt 0,25 um-le, 0 .18um või isegi 0.13um, varem 99. Sihtpuhtus 995% võib rahuldada 0.35umIC protseduuri nõuded, samas kui 0.18um ettevalmistamiseks on vaja 99 rida.99,9999% või isegi 999%.
Lisandite sisaldus: sadestunud kile peamised saasteallikad on lisandid tahkes aines ning poorides hapnik ja veeaur. Erinevad sihtmärgid nõuavad erinevatel põhjustel erinevat lisandisisaldust. Näiteks pooljuhtide sektoris kehtivad kindlad standardid kile kontsentratsiooni kohta. radioaktiivsed elemendid ja leelismetallid puhtast alumiiniumist ja alumiiniumisulamitest valmistatud sihtmärkides.
Tihedus: tahke aine pooride vähendamiseks ja pihustatud kile funktsionaalsuse suurendamiseks peab sihtmaterjalil tavaliselt olema suurem tihedus. Kile elektrilisi ja optilisi omadusi mõjutab ka sihtmaterjali tihedus, Lisaks pihustuskiirusele.Kile jõudlus suureneb koos sihttihedusega.Sihtmärgi materjali võimet taluda pommitamisprotsessi ajal kuumastressi parandab ka selle tiheduse ja tugevuse suurendamine.Sihtmärgi üks peamisi jõudlusnäitajaid on tihedus.
