Viimastel aastatel on pooljuhttehnoloogia kiiresti arenenud ning nõudlus pihustuskilena kasutatava tantaali järele on järk-järgult kasvanud. Integraallülitustes asetatakse difusioonibarjäärina räni- ja vaskjuhtide vahele tantaal. Tootmismeetodidpritsivad tantaali sihtmärgidhõlmavad valuplokimetallurgiat (I/M) ja pulbermetallurgiat (P/M). Madalamate nõudmistega tantaalsihikud on üldjuhul valmistatud tantaali valuplokkidest. Mõnel juhul, kui nõuded on kõrgemad, ei saa aga kasutada I/M meetodit ning selle tootmiseks saab kasutada ainult pulbermetallurgia meetodit. Näiteks ei saa I/M meetod toota sulamist sihtmärke tantaali ja räni erinevate sulamistemperatuuride ning räniühendite madala sitkuse tõttu.
Kile moodustamises ei tohi olla aineid, mis saastavad pooljuhtseadet. Kui pihustuskile moodustub ja kui tantaali (sulami, ühendi) sihtmärgis on lisandeid, viiakse need lisandid pihustuskambrisse, põhjustades jämedate osakeste kinnitumist aluspinnale ja lühisesse õhukese kileahela. Samal ajal võivad lisandid olla ka õhukeses kiles väljaulatuvate osakeste suurenemise põhjuseks. Sihtmärgis olevad lisandigaasid, nagu hapnik, süsinik, vesinik ja lämmastik, põhjustavad ebanormaalseid nähtusi ja tekitavad probleeme moodustunud kile ühtluses. Lisaks sellele on pulbermetallurgia meetodi puhul ladestunud kile ühtlus funktsioon objektis oleva tera suurusest ja mida peenem on sihtmärgi tera, seda ühtlasem on kile. Seetõttu on antud valdkonnas vajadus kvaliteetsete tantaalipulbrite ja tantaali sihtmärkide järele. Seetõttu on kvaliteetse tantaalipulbri ja tantaali sihtmärgi saamiseks vaja vähendada tantaalipulbri lisandite sisaldust ja suurendada tantaalipulbri puhtust.
Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. suudab tootatantaalipulbriderineva suurusega osakeste. Kõrge kvaliteedi tagamise eelduseks on meie ettevõttel täielik tantaalmetallipulbrite valik, mis suudab rahuldada erinevate klientide vajadusi uurimis- ja arendustegevuse, katsetamise, tootmise, tarbimise jms osas.
