Kuna molübdeenil on kõrge sulamistemperatuur, kõrge elektrijuhtivus, madal eritakistus, hea korrosioonikindlus ja keskkonnakaitse,molübdeeni sihtmärgidNeid kasutatakse laialdaselt elektroonikatööstuses, näiteks lameekraanide elektroodid, õhukese kilega päikesepatareid ja tarvikud. Teave rea kohta, andke nüüd Xiaobianile ja teile teada volframi- ja molübdeenitoodetes sisalduvate molübdeeni sihtmärkide omadustest.
1. Kõrge puhtusastmega molübdeeni sihtmärk
Üldiselt peaks molübdeeni pihustusobjekti puhtus olema vähemalt 99,95 protsenti. Kuna aga LCD-tööstuses klaasaluspindade suurust pidevalt täiustatakse ning vastavalt pihustatud klaasist substraatide suurusele ja kasutuskeskkonnale, peab molübdeeni pihustusobjektide puhtus olema 99,99 protsenti -99. 999 protsenti või isegi rohkem.
2. Suure tihedusega molübdeeni sihtmärk
Pommitamisprotsessis, kui väikese tihedusega pihustusobjekti pommitatakse, tekivad sihtmaterjali poorides oleva gaasi järsu vabanemise tõttu suuremahulised sihtosakesed või osakesed pritsimiseks või kilematerjal on pärast kile moodustumist sekundaarsetele kahjustustele. Sekundaarne elektronpommitamine moodustab osakeste pritsmete, mille olemasolu võib filmi kvaliteeti halvendada. Selleks, et vähendada poore sihtmaterjali tahkes aines ja parandada kile jõudlust, peab pihustatav sihtmaterjal olema üldjuhul suurema tihedusega.
3. Tera suurus
Üldiselt on molübdeeni pihustusobjektil polükristalliline struktuur ja tera suurus võib ulatuda mikromeetritest millimeetriteni. Eksperimentaalsed uuringud on näidanud, et mikromõõtmelise molübdeenitera sihtmärgi pihustuskiirus on kiirem kui jämedateralisel ja väiksema molübdeeni tera suuruse erinevusega sihtmärgil on ladestunud kile ühtlasem paksusjaotus.
4. Kristallisatsiooni suund
Kuna pommitamise ajal pihustatakse sihtmärgi aatomeid lihtsalt kuusnurkse range aatomite paigutuse suunas, siis pommitamiskiiruse saavutamiseks suurendatakse pommitamiskiirust sageli sihtmärgi kristallstruktuuri muutmisega. Sihtmärgi kristallograafiline suund mõjutab ka pihustatud kile paksuse ühtlust. Seetõttu on teatud kristallograafilise orientatsiooniga sihtstruktuuri saamine õhukeste kilede pihustusprotsessi jaoks ülioluline.
5. Soojusjuhtivus
Volframi- ja molübdeenitoodete tootjad ütlevad, et molübdeeni pihustussihtmärk tuleb enne pihustamist ühendada hapnikuvaba vase (või muude materjalide, näiteks alumiiniumi) šassiiga, et oleks tagatud soojusjuhtivus molübdeeni sihtmärgi ja šassii vahel. pihustusprotsess. Pärast sidumist tuleb läbida ultrahelikontroll, et tagada, et nende kahe sidumata ala on alla 2 protsendi, et täita suure võimsusega pihustamise nõudeid ilma kukkumiseta.
6. Molübdeeni eesmärgi jõudlus
Puhtus: puhas molübdeen 99,95% või suurem, kõrgetemperatuuriline molübdeen 99% või suurem (lisage haruldaste muldmetallide elemente)
Tihedus: 10,2 g/cm3 või suurem
Sulamistemperatuur: 2610 kraadi
Tehnilised andmed: ümmargune sihtmärk, plaatmärk, pöörlev sihtmärk
Sobiv keskkond Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. toodetud molübdeeni sihtmärgi jaoks on vaakumkeskkond või inertgaasi kaitsekeskkond. Meie pakutavates molübdeenitoodetes on kõrge molübdeenisisaldus, kõrge temperatuurikindlus on 1200 kraadi ja molübdeenisulami kõrge temperatuuritaluvus on 1700 kraadi. Meie ettevõtte toodetud molübdeeni sihtmärgid on kõrge kvaliteediga, mõistliku hinnaga ja kiire tarnega.
